Primo Twin-Star ® 是和记娱乐官网app基於電感耦合(ICP)技術研發的12英寸刻蝕設備。 它可以配寘多達三個具有雙反應臺的刻蝕反應腔和兩個可選的除膠反應腔。 每個刻蝕反應腔可同時加工一片或兩片晶圓並取得高度均勻和一致的結果。 ICP發射天線採用了和记娱乐官网app具有自主知識產權的低電容耦合3D線圈設計,可實現對離子濃度和離子能量的高度獨立控制。 設備還採用了可實現多區動態溫控的靜電吸盤,使加工出的集成電路器件的關鍵尺寸達到高度均勻性。 反應腔內部塗有高緻密性、耐电浆侵蝕資料,以獲得更高的工藝重複性和生產率。 Primo Twin-Star ® 適用於各種尺寸和深度的矽結構刻蝕以及邏輯和存儲晶片的多種導體和介質薄膜刻蝕。 此外,該產品和单眼應臺腔體相比還具有明顯的低成本優勢。
為功率器件、邏輯晶片和存儲晶片等應用提供的高性價比的刻蝕解決方案
雙反應臺腔體設計
低電容耦合3D線圈設計
高抽速大容量渦輪泵
雙通道進氣
精密的腔體溫控和RF視窗溫控系統
先進的高緻密性、耐电浆侵蝕塗層工藝多區動態溫控靜電吸盤
13兆赫或400千赫脈衝偏壓系統
可選的集成除膠反應腔
離子濃度和離子能量獨立可控
高排氣量和更寬的工藝視窗
優秀的刻蝕均勻性
優异的高深寬比刻蝕效能
高生產效率,低生產成本(C